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元器件采购网 > D-361页 > FET - 阵列DI9945T

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DI9945T

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) Diodes Inc 3834 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923
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DI9945T参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
包装数量:1
包装形式:剪切带 (CT)

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:435pF @ 25V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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